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还在为高压应用的开关损耗和可靠性头疼吗？让STD4NK80Z-1来改变这一切！这颗基于先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，是您实现高效功率转换的秘诀。

它拥有800V的高压阻断能力和3A的电流承载能力，配合优化的3.5欧姆导通电阻，能显著降低导通损耗，提升系统整体效率。同时，其优异的开关特性（如低栅极电荷）让您能轻松设计出更快速、更高效的开关电路。无论是开关电源、电机驱动还是照明应用，它都能让您的设计更稳定、更节能，助您轻松应对各种功率挑战。

• 型号:STD4NK80Z-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:575 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STD4NK80Z-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。