我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STD4NK50Z-1现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能兼顾高耐压、低损耗与可靠性的功率开关吗？STD4NK50Z-1正是为您而来。这颗500V/3A的N沟道MOSFET，采用先进的SuperMESH技术，能显著降低导通电阻和栅极电荷，让您的电源或电机驱动设计轻松实现更高的开关频率和更优的能效表现。

它能让您高效管理功率流，减少热量产生，从而提升系统整体可靠性。其坚固的封装和宽工作温度范围，确保它在各种应用环境中都能稳定发挥，是您构建高效、耐用电力电子系统的理想基石。

• 制造商产品型号：STD4NK50Z-1
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：SuperMESH
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：500V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：3A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.7 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：12nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：310pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：45W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I-PAK
• STD4NK50Z-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。