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您正在寻找一颗能轻松驾驭高压开关任务，同时保持高效与可靠的核心器件吗？STD4N90K5正是为您而来。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有高达900V的击穿电压和仅2.1欧姆的低导通电阻，让您的电源设计在应对高压环境时游刃有余，显著降低能量损耗，提升整体系统效率。

它基于先进的MDmesh技术，具备极低的栅极电荷和快速的开关特性，能有效减少开关损耗，特别适用于开关电源、电机控制等高频应用。其DPAK封装兼顾了功率处理能力与紧凑的板级空间占用，配合-55°C至150°C的宽工作温度范围，确保您的产品在各种严苛环境下都能稳定运行，让您设计更省心，产品更具竞争力。

• 型号:STD4N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 3A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.1 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:173 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD4N90K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。