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您正在寻找一颗能在高压应用中兼顾高效与可靠的功率开关吗？STD4N80K5正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有800V的强悍耐压和3A的连续电流能力，基于ST先进的SuperMESH5技术，其导通电阻低至2.5欧姆，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源设计效率轻松跃升新台阶。

它能让您轻松驾驭开关电源、LED驱动、电机控制等高压场景。优化的动态参数确保了更快的开关速度和更低的驱动需求，不仅提升了系统响应，还有效控制了温升。其坚固的DPAK封装和宽达-55°C至150°C的工作结温范围，赋予了它卓越的功率耗散能力和环境适应性，确保您的产品在各种挑战下都能稳定高效运行。

• 型号:STD4N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:175 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD4N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。