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STD40P3LLH6 零件图片(仅供参考)

STD40P3LLH6
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STD40P3LLH6 规格参数

还在为电源转换效率难以突破而困扰吗?STD40P3LLH6正是为您破解这一难题而生。这颗P沟道MOSFET拥有30V耐压和40A的强大电流处理能力,其核心魅力在于极低的导通电阻,能显著减少开关损耗,让您的电源模块或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它基于意法半导体先进的STripFET H6技术,开关响应迅速,栅极电荷低,让您轻松实现高频率下的稳定控制。无论是用于同步整流提升DC-DC转换器效率,还是作为负载开关管理大电流通路,它都能以卓越的电气性能和DPAK封装带来的良好散热特性,确保您设计的可靠性与先进性。选择它,就是为您的产品注入一颗强劲而高效的“心脏”。

  • 型号:STD40P3LLH6
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:DPAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 30V 40A DPAK
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):15 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):24 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2615 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):60W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:DPAK
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
  • STD40P3LLH6,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STD40P3LLH6 基本参数:

  • 电子零件型号:STD40P3LLH6
  • 原始制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 技术标准参数:MOSFET P-CH 30V 40A DPAK
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 点击此处查询STD40P3LLH6的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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