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还在为功率转换的损耗和发热头疼吗？让STD40NF3LLT4来为您解决！这颗N沟道MOSFET拥有30V的耐压和高达40A的电流承载能力，其核心魅力在于仅11毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，直接提升您的系统效率，并让热管理变得更为轻松。

得益于意法半导体的STripFET II技术，它在4.5V的低驱动电压下即可实现优异性能，栅极电荷低至33nC，这意味着它能实现快速、干净的开关动作，让您的电机驱动、电源同步整流或负载开关电路运行得更快、更冷、更高效。DPAK封装兼顾了功率耗散与PCB空间占用，是您打造紧凑、高性能功率模块的理想选择。

• 型号:STD40NF3LLT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1650 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD40NF3LLT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。