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还在为寻找一颗能在600V高压下可靠工作、又能兼顾效率与成本的开关管而烦恼吗？让STD3NM60T4来为您排忧解难！这颗N沟道MOSFET专为中低功率开关应用而生，其出色的MDmesh技术让您轻松实现低导通损耗与快速开关的完美结合，显著提升电源或驱动器的整体能效。

它不仅能承受高达3A的连续电流，其极低的栅极电荷和输入电容更能让您的驱动电路设计更简单、运行更高效。采用坚固的DPAK表面贴装封装，节省空间的同时确保了出色的散热能力，让您的产品设计更加紧凑可靠。选择它，就是为您的功率转换方案选择了一份经过验证的稳健与高效。

• 型号:STD3NM60T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 3A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:324 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:42W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD3NM60T4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。