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您是否正在寻找一颗能显著提升开关电源效率、同时保持卓越可靠性的“核心动力”？STD3NM60N正是为此而生。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V高耐压和3.3A的电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻（1.8Ω）与栅极电荷（9.5nC），能大幅降低开关损耗与传导损耗，让您的电源设计轻松实现更高的能效等级和更低的温升。

它专为要求苛刻的开关应用优化，如反激式转换器、PFC电路和电机驱动。其DPAK封装兼顾了功率密度与散热需求，表面贴装形式让您的PCB布局更加紧凑高效。选择STD3NM60N，意味着您选择了一个经过验证的高性能解决方案，它将帮助您简化设计、提升产品可靠性，并最终在市场竞争中赢得优势。

• 型号:STD3NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 3.3A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 1.65A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:188 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD3NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。