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您正在寻找一颗能轻松驾驭高压开关任务，同时保持高效与可靠的MOSFET吗？STD3NM50T4正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有550V的高耐压和3A的电流处理能力，基于ST先进的MDmesh技术打造，能显著降低导通损耗，提升您的电源转换效率。

它能让您的开关电源、PFC电路或LED驱动设计变得更加简洁高效。其优化的5.5nC低栅极电荷，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，配合DPAK封装，非常适合空间紧凑的现代电子设备。选择它，就是为您的产品选择了一份经过市场验证的稳定与高效。

• 型号:STD3NM50T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 3A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:140 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:46W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD3NM50T4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。