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还在为高压电路中的开关效率烦恼吗？让STD3N80K5为您带来变革性的体验。这颗来自ST意法半导体SuperMESH5家族的N沟道MOSFET，拥有800V的坚固耐压和2.5A的连续电流能力，专为要求严苛的高压开关应用而生。其核心价值在于，它能帮助您大幅降低导通和开关损耗，轻松实现更高的电源转换效率。

它就像您电路中的高效“智能开关”。得益于仅3.5欧姆的低导通电阻和极低的栅极电荷，它能实现快速、干净的开关动作，显著减少热量产生，让您的设备运行更凉爽、更安静、寿命更长。无论是开关电源(SMPS)、LED照明驱动，还是电机控制，它都能让您的设计在性能与可靠性上脱颖而出，高效应对各种功率管理挑战。

• 型号:STD3N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:130 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD3N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。