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还在为功率转换效率瓶颈而烦恼吗？STD3N62K3 N沟道MOSFET就是您提升产品竞争力的秘密武器。它凭借620V的高耐压和仅2.5欧姆的低导通电阻，能显著降低开关电源和LED驱动等应用中的传导损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松实现高效的电能控制与转换。其优异的开关特性（低栅极电荷）确保快速响应，减少开关损耗，而高达150°C的结温工作能力则提供了可靠性的坚实保障。无论是追求紧凑空间还是高可靠性设计，采用DPAK封装的STD3N62K3都是您实现高效、稳定电源方案的理想选择。

• 型号:STD3N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 2.7A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:385 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD3N62K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。