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还在为开关电源的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？STD30NF06T4正是您期待的解决方案。这颗采用STripFET II技术的N沟道MOSFET，拥有低至28毫欧的导通电阻和高达28A的电流处理能力，能显著降低功率损耗，让您的设计运行更凉爽、更高效。

它能让您轻松驾驭电机驱动、DC-DC转换等高要求应用。其快速的开关特性（低栅极电荷）和坚固的DPAK封装，确保了系统响应迅捷且在恶劣环境下稳定可靠。选择STD30NF06T4，就是为您的产品注入了强劲而高效的心脏。

• 型号:STD30NF06T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 28A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:58 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1750 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD30NF06T4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。