我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STD30NF06LT4现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能轻松驾驭中高功率切换任务的“得力干将”吗？STD30NF06LT4正是为您而来。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有60V的耐压和高达35A的连续电流处理能力，让您在设计电机驱动、电源转换或负载开关时信心十足。

它的核心魅力在于极致的效率。凭借STripFET先进技术，其导通电阻低至惊人的28毫欧（@10V），能显著降低导通状态下的功率损耗，直接提升系统整体能效，让设备运行更凉爽、更节能。同时，优化的栅极特性让您能用标准驱动电压实现快速、干净的开关，有效降低开关损耗，特别适合对效率有苛刻要求的应用。

无论是面对严苛的工业环境还是追求紧凑的空间设计，其坚固的DPAK封装和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）都能提供可靠的保障。选择它，就是为您的产品选择了高性能、高可靠性的强大心脏。

• 型号:STD30NF06LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 18A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD30NF06LT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。