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还在寻找一颗能轻松驾驭30A电流、实现高效电源切换的“强力开关”吗？STD30NF03LT4正是您理想的答案。这颗采用STripFET II技术的N沟道MOSFET，拥有低至25毫欧的优异导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的DC-DC转换器、电机驱动或负载开关电路运行得更凉爽、更高效。

它具备30V的耐压和30A的持续电流能力，配合低栅极电荷特性，让您能用更简单的驱动电路实现快速、干净的开关动作，有效提升系统整体能效。其坚固的DPAK封装和宽广的-65°C至175°C工作结温范围，确保了在各种应用环境中稳定可靠的长期表现，是您打造高性能、高可靠性功率系统的得力助手。

• 型号:STD30NF03LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:830 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD30NF03LT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。