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还在为高压应用中的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？让STD2NK90ZT4为您带来颠覆性的改变！这颗集成了ST先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，是专为挑战900V高压环境而生的能效专家。

它能让您的电源设计轻松实现高效转换，其低至6.5欧姆的导通电阻显著降低了导通损耗，配合优化的动态特性，帮助您有效管理热量，提升系统可靠性。无论是构建紧凑的开关电源，还是驱动高性能电机，它都能让您以更小的体积，获得更强劲、更稳定的功率输出。

选择它，就是选择了一条通往更高能效、更可靠设计和更快上市时间的捷径，让您的产品在竞争中脱颖而出。

• 型号:STD2NK90ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 2.1A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 欧姆 @ 1.05A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:485 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD2NK90ZT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。