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当您需要一颗能在600V高压下稳定、高效工作的开关核心时，STD2NK60Z-1正是为您准备的答案。它基于ST先进的SuperMESH技术，不仅轻松扛住高压冲击，其低至8欧姆的导通电阻更能显著减少功率损耗，直接帮助您提升系统整体能效，让热量管理变得更简单。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的开关电源、LED驱动或小型电机控制电路运行得更冷静、更持久。仅需10V驱动电压即可实现高效导通，配合优化的栅极电荷，有助于简化您的驱动电路设计。其坚固的I-PAK通孔封装确保了出色的散热能力和机械可靠性，让您在应对-55°C至150°C的严苛工作温度范围时充满信心。

• 型号:STD2NK60Z-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 1.4A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 700mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:170 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STD2NK60Z-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。