我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STD1NK60T4现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能兼顾高压、高效与高可靠性的小功率开关解决方案吗？STD1NK60T4正是为您而来。它基于意法半导体先进的SuperMESH技术，拥有600V的耐压和仅1A的连续电流，其核心价值在于极低的导通电阻（仅8.5欧姆）和栅极电荷，这能显著降低开关损耗和驱动需求，让您的电源设计效率更高、发热更少。

这颗芯片能轻松集成到您的AC-DC转换器、电机驱动辅助电路或LED照明驱动器中。其坚固的DPAK封装和宽达-55°C至150°C的工作温度范围，确保了它在各种环境下都能稳定工作，大大提升了您终端产品的耐用性和可靠性。选择它，就是为您的产品选择了一份经得起考验的高效动力核心。

• 型号:STD1NK60T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.7V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:156 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD1NK60T4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。