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还在为小功率高压开关应用寻找一颗既高效又可靠的“心脏”吗？STD1NK60-1正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体SuperMESH系列的N沟道MOSFET，拥有600V的高耐压和仅1A的连续漏极电流，专为要求苛刻的紧凑型设计优化。

它的核心价值在于极低的导通电阻（8.5欧姆）和栅极电荷（10nC），这能显著降低开关损耗和驱动功耗，让您的电源或电机控制方案运行得更加高效、凉爽。采用坚固的I-PAK封装，确保出色的散热和长期可靠性，轻松应对各种环境挑战。选择STD1NK60-1，就是为您的产品注入一颗高效、稳定的强大内核。

• 型号:STD1NK60-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.7V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:156 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STD1NK60-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。