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还在寻找一颗能兼顾高压、高效与可靠性的功率开关核心吗？STD1HNC60T4正是您的理想答案。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和2A的持续电流能力，专为要求苛刻的开关应用而优化。

它采用先进的PowerMESH II技术，为您带来低至5欧姆的导通电阻，能显著降低开关损耗，让您的电源或驱动方案效率更高、发热更少。同时，其极低的栅极电荷和输入电容，确保了快速干净的开关动作，让您轻松实现高频高效设计，并有效控制电磁干扰。

无论是用于离线式开关电源、LED照明驱动，还是电机控制等辅助电路，STD1HNC60T4都能以紧凑的DPAK封装，为您提供稳定、高效的功率处理性能，助您打造出更可靠、更具市场竞争力的产品。

• 型号:STD1HNC60T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:228 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD1HNC60T4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。