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还在为寻找一颗能同时兼顾高压、大电流与高效率的功率开关而烦恼吗？STD16N65M2正是为您而来的解决方案。这颗基于意法半导体先进MDmesh M2技术的N沟道MOSFET，拥有650V的坚固耐压和11A的强大电流处理能力，让您在设计服务器电源、工业驱动或新能源设备时，能够轻松应对高功率密度挑战。

它的核心价值在于卓越的效率。极低的导通电阻（典型值）意味着更少的导通损耗，而优化的栅极电荷则确保了快速的开关速度和更低的开关损耗。这两者结合，能显著提升您整个电源系统的能效，减少热量产生，让设备运行更凉爽、更稳定。其DPAK封装和宽泛的工作温度范围，进一步保障了它在各种应用环境下的可靠性与耐用性，是您构建高效、紧凑且可靠功率系统的理想选择。

• 型号:STD16N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:718 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD16N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。