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还在为高电流应用的开关损耗和散热问题头疼吗？STD150NH02L-1就是为您而来的解决方案！这颗采用先进STripFET III技术的N沟道MOSFET，能轻松驾驭高达150A的连续电流，而其惊人的3.5毫欧超低导通电阻，能大幅降低导通损耗，直接提升您的系统整体效率，让热量不再是性能的绊脚石。

它专为高效开关而优化，凭借仅93nC的低栅极电荷，可实现快速、干净的开关动作，显著减少开关损耗。无论是用于同步整流、电机驱动还是高功率DC-DC转换，它都能让您的设计运行得更冷静、更高效。其坚固的I-PAK通孔封装和125W的功率耗散能力，确保了在严苛环境下的长期稳定运行。

选择STD150NH02L-1，就是选择让您的电源管理系统轻装上阵，以更小的体积和更低的温升，释放出更强大的动力潜能，助您轻松赢得市场竞争优势。

• 型号:STD150NH02L-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 150A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):150A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:93 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4450 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STD150NH02L-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。