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您是否正在寻找一颗能扛起高效功率开关重任的核心器件？STD150N2LH5 N沟道MOSFET正是您的理想之选。它能够轻松胜任电源转换、电机驱动等关键任务，通过优异的开关特性，显著降低导通损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽。

这颗采用DPAK封装的芯片，让您在紧凑的空间内也能实现强大的功率处理能力。它帮助您简化热设计挑战，提升整体方案的可靠性，是您打造高性能、高稳定性电力电子产品的得力助手。

• 制造商产品型号：STD150N2LH5
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH DPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：-
• 技术：-
• 漏源电压（Vdss）：-
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：-
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：-
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：-
• 安装类型：-
• 器件封装：-
• STD150N2LH5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。