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还在寻找那颗能同时满足高效率、高可靠性和易用性的中高压开关管吗？STD13NM60ND正是为您而来的答案。这颗采用先进FDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V/11A的强劲规格，其超低的导通电阻与栅极电荷，能显著降低您电源系统中的开关损耗与传导损耗，直接提升整体能效，让您的产品在能耗表现上脱颖而出。

它能让您轻松应对开关电源、PFC电路、电机驱动等应用中的高压切换挑战。DPAK表面贴装封装简化了您的生产流程，而卓越的散热能力（109W Tc）和高达150°C的工作结温，则确保了它在严苛环境下的长期稳定运行。选择STD13NM60ND，就是为您的设计选择了一份高效与安心的保障。

• 型号:STD13NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:845 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:109W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD13NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。