我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STD13NM60N现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为高压应用的功率开关选型犹豫不决吗？让STD13NM60N为您提供清晰高效的解决方案。这颗来自意法半导体MDmesh II家族的N沟道MOSFET，集600V高耐压与11A强电流能力于一身，旨在让您的电源设计事半功倍。

它凭借仅360毫欧的超低导通电阻和优化的动态特性，能显著降低开关损耗和导通损耗，直接提升您的系统整体能效。同时，其紧凑的DPAK封装和出色的热性能（最大耗散功率90W），让您能在有限的空间内实现高功率密度与高可靠性的完美平衡，轻松应对从消费电子到工业电源的各种挑战。

• 型号:STD13NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:790 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD13NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。