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它能让您的设计在保持紧凑的同时，释放出更大的功率潜能。无论是提升开关电源的功率密度，还是增强电机驱动的控制精度，STD13N50DM2AG都能以卓越的性能，帮助您简化设计挑战，加速产品上市进程，最终为用户带来更卓越的体验。

• 制造商产品型号：STD13N50DM2AG
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：POWER TRANSISTORS
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：-
• 技术：-
• 漏源电压（Vdss）：-
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：11A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：-
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：-
• 安装类型：-
• 器件封装：-
• STD13N50DM2AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。