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还在寻找那颗能同时驾驭高电流与高效率的“全能型”功率开关吗？STD130N4F6AG正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体的40V N沟道MOSFET，能在高达80A的电流下持续工作，而其核心魅力在于仅3.6毫欧的超低导通电阻，能大幅减少导通损耗，直接提升您的系统整体能效。

它采用先进的STripFET F6技术和汽车级工艺制造，不仅功率处理能力强大（143W），更具备卓越的开关特性。极低的栅极电荷让驱动更轻松、开关更快，帮助您优化热管理并缩小方案尺寸。无论是处理繁重的负载，还是需要在高频下稳定运行，它都能让您的设计游刃有余。

从电机驱动到电源转换，从汽车动力总成到工业自动化，STD130N4F6AG都能以出色的可靠性和性能，成为您电路中高效、安静的能量守门员，让您的产品在竞争中脱颖而出。

• 型号:STD130N4F6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4260 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:143W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD130N4F6AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。