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还在寻找一颗能同时扛起高电压、大电流重任，又能保持冷静高效的功率开关吗？STD12N65M5正是为您而来的解决方案。它基于ST先进的MDmesh V技术，将650V的高耐压与仅430毫欧的低导通电阻集于一身，让您在处理高达8.5A电流时，也能大幅降低导通损耗，轻松提升系统整体能效。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的电源设计更紧凑、更可靠。其优化的栅极电荷和输入电容，确保了快速干净的开关特性，显著减少开关损耗，特别适用于高频开关电源。同时，高达150°C的结温工作能力和DPAK封装，为您提供了强大的散热余量和便捷的贴片安装体验，让高效功率转换变得简单而稳健。

• 型号:STD12N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 8.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:430 毫欧 @ 4.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:900 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD12N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。