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还在为电源转换效率难以提升而烦恼吗？STD12N60M2正是为您而来的解决方案！这颗来自ST意法半导体MDmesh M2系列的N沟道MOSFET，集600V高耐压与9A大电流能力于一身，旨在让您的电源设计脱胎换骨。

它凭借低至450毫欧的导通电阻和优化的栅极电荷，能显著降低开关过程中的导通损耗与开关损耗，直接提升系统整体能效。无论是用于开关电源、电机驱动还是照明应用，它都能让您的设备运行得更凉爽、更持久、更可靠。其DPAK封装易于焊接和散热，高达150°C的结温提供了宽泛的安全工作区，让您轻松应对各种挑战性环境，高效实现设计目标。

• 型号:STD12N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:538 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD12N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。