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还在为电源转换效率提升几个百分点而绞尽脑汁吗？让STD12N60DM2AG为您开启高效节能的新篇章。这颗来自ST意法半导体的车规级N沟道600V MOSFET，专为要求严苛的汽车及工业应用而生，其卓越的电气特性旨在让您的设计轻松实现更低的功率损耗和更高的开关频率。

它能够胜任AC-DC转换、电机驱动、开关电源等多种关键任务，帮助您构建更紧凑、更可靠的功率系统。选择STD12N60DM2AG，就是选择了一份经过验证的耐久性和性能保障，让您的产品在激烈的市场竞争中凭借出色的能效和稳定性脱颖而出。

• 型号:STD12N60DM2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:0V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:430 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:614 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD12N60DM2AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。