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还在寻找那颗能让您的电源设计既高效又可靠的“核心开关”吗？STD10NM60ND正是为您而来的解决方案。这颗基于意法半导体先进FDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V/8A的强劲功率处理能力，其超低的导通电阻和栅极电荷，能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效比更高。

它能让您轻松应对从工业电源、电机驱动到UPS等多种高压应用场景。优异的动态性能和高达70W的功率耗散能力，确保了系统在苛刻环境下的长期稳定运行。选择它，就是为您的产品选择了一份高效与可靠的双重保障。

• 型号:STD10NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:577 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD10NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。