还在为功率开关的效率瓶颈而烦恼吗?让STD10NF10T4为您带来改变!这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET,集100V耐压与13A大电流能力于一身,专为要求高效、可靠的电源转换和电机控制应用而生。
它采用先进的STripFET II技术,拥有极低的导通电阻和优异的开关性能,能显著降低您的系统功耗与发热,让电能转换更高效、更“冷静”。其坚固的DPAK封装和宽广的工作温度范围,更能确保您的产品在各种环境下稳定运行,轻松应对设计挑战。
- 型号:STD10NF10T4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 13A DPAK
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):130 毫欧 @ 5A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):21 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):460 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):50W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
- STD10NF10T4,ST(意法半导体)产品一站式供应商。