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还在为高压应用中的效率与发热问题烦恼吗？让STB9NK90Z为您带来变革！这颗来自意法半导体SuperMESH系列的900V N沟道MOSFET，集高耐压、大电流与低损耗于一身，旨在让您的电源和电机驱动设计更高效、更可靠。

它能在高达900V的电压下稳定工作，连续漏极电流达8A，而优化的1.3欧姆导通电阻能显著降低导通损耗，减少发热。同时，其优异的开关特性帮助您提升系统频率，轻松实现功率密度升级。采用坚固的D2PAK封装，确保在-55°C至150°C的严苛温度范围内持久运行，是您打造下一代高性能电力电子设备的理想选择。

• 型号:STB9NK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 8A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2115 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB9NK90Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。