我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STB80PF55T4现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为寻找一颗能高效控制大功率的P沟道开关而烦恼吗？STB80PF55T4正是为您解决这一难题的利器。这颗来自意法半导体的功率MOSFET，拥有55V耐压和高达80A的连续电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻（典型值18mΩ@10V），能显著降低开关过程中的功率损耗，直接提升您的电源转换或电机驱动系统的整体效率。

它采用成熟的STripFET II技术和坚固的D2PAK封装，不仅确保了出色的热性能（最大功耗300W），更能让您在-55°C至175°C的宽广温度范围内放心使用。无论是用于高效的DC-DC变换、负载切换，还是电机控制，STB80PF55T4都能让您的设计更紧凑、运行更稳定、能效比更出众，轻松应对高要求应用场景的挑战。

• 型号:STB80PF55T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 55V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:258 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB80PF55T4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。