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您正在寻找一颗能扛起大电流、低损耗重任的功率开关吗？STB80NF55-08T4正是为您而来。这颗采用STripFET技术的N沟道MOSFET，拥有55V耐压和高达80A的连续电流处理能力，其核心优势在于极低的导通电阻（典型值仅8毫欧@10V）。这意味着它能显著降低开关和导通过程中的功率损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统效率，让您的电源或电机驱动设计轻松应对高负荷挑战。

它采用坚固的D2PAK封装，散热性能优异，非常适合空间紧凑但功率密度要求高的应用。无论是构建高效的同步整流电路、驱动直流电机，还是用于各类DC-DC转换器，STB80NF55-08T4都能提供稳定可靠的性能。选择它，就是为您的产品注入了高效与耐用的基因。

• 型号:STB80NF55-08T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:155 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB80NF55-08T4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。