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您正在为寻找一颗能“扛大任”又“省能量”的功率开关而烦恼吗？STB80NF55-06T4正是为您而来的解决方案。这颗基于先进STripFET II技术的N沟道MOSFET，拥有55V耐压和高达80A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（典型值仅6.5毫欧），能显著降低开关过程中的导通损耗，直接提升您的电源或电机驱动系统的整体效率。

这意味着，在服务器电源、工业变频器、大功率DC-DC转换器等应用中，它能让您的设备运行得更“冷静”，散热设计更简化，从而有效控制整体系统成本和体积。其坚固的D2PAK封装和宽广的工作温度范围（-55°C至175°C），确保了在严苛环境下的长期稳定性和可靠性。选择它，就是为您的产品注入高效与耐用的双重基因。

• 型号:STB80NF55-06T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:189 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB80NF55-06T4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。