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还在为高压电源设计的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？让STB7NK80ZT4为您带来颠覆性的改变。这颗采用先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有800V的高耐压和5.2A的连续电流处理能力，核心优势在于其极低的导通电阻，能显著降低开关损耗，轻松将您的电源系统效率提升到一个新高度。

它意味着您可以在更小的空间内实现更大的功率输出，同时系统运行更凉爽、更稳定。优化的动态参数确保快速干净的开关，让您的设计响应更迅捷。无论是工业电机驱动、高性能开关电源还是高要求的照明系统，STB7NK80ZT4都能让您以更低的综合成本，构建出更高效、更可靠的解决方案，直接增强您终端产品的市场竞争力。

• 型号:STB7NK80ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 2.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1138 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB7NK80ZT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。