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您正在为高电流开关应用寻找一颗强健的“能量阀门”吗？STB76NF80正是为此而生。这颗N沟道功率MOSFET拥有80V的耐压和高达80A的电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅11毫欧），能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

得益于STripFET II先进技术，它实现了优异的开关性能与稳健性的平衡。无论是用于提升工业电机驱动的效率，还是构建可靠的UPS逆变单元，它都能让您轻松应对高功率密度设计的挑战，为您的产品注入持久可靠的核心动力。

• 型号:STB76NF80
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:160 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB76NF80，ST（意法半导体）产品一站式供应商。