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还在为高压应用中的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？让STB6N80K5来为您破局！这颗基于先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，是您实现高效功率管理的得力助手。

它拥有高达800V的击穿电压和4.5A的电流处理能力，配合业界领先的低导通电阻（Rds(on)），能显著降低传导损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。极低的栅极电荷确保了快速的开关性能，进一步优化整体能效。其坚固的D2PAK封装和宽广的工作温度范围，更能让您轻松应对各种严苛环境，提升产品可靠性。

选择STB6N80K5，就是选择用一颗芯片的力量，简化您的设计，提升系统性能，让您的产品在竞争中轻松赢得优势。

• 型号:STB6N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 4.5A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:255 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB6N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。