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还在寻找那颗能同时满足高效率、高可靠性和易驱动需求的功率MOSFET吗？STB60NF06LT4正是为您而来的解决方案。它能让您轻松驾驭高达60A的连续电流，凭借其低至14毫欧的导通电阻，显著降低功率损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉、更高效。

这颗芯片采用意法半导体成熟的STripFET II技术，在仅需5V或10V的驱动电压下即可实现优异性能，简化您的驱动电路设计。其快速的开关特性和低栅极电荷，让您能够实现更高频率的开关操作，从而缩小磁性元件体积，助力产品小型化。无论是应对工业环境的严酷考验，还是追求消费电子的极致能效，STB60NF06LT4都是您构建高性能、高可靠性功率电路的坚实基石。

• 型号:STB60NF06LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:66 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±15V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB60NF06LT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。