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还在为高压开关应用中的损耗和散热问题头疼吗？让STB5N62K3来为您分忧！这颗采用ST先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有620V的高耐压和4.2A的电流处理能力，能轻松胜任开关电源、电机控制等场景的主功率开关角色。

它的核心魅力在于高效。低至1.6欧姆的导通电阻显著降低了导通损耗，而优化的栅极电荷（仅26nC）则让开关速度更快、损耗更小。这意味着您的系统整体效率更高，发热更少，运行更稳定。采用坚固的D2PAK封装，散热性能优异，让您在设计高可靠性产品时信心十足。

• 型号:STB5N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 4.2A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 欧姆 @ 2.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:680 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB5N62K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。