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您是否希望为电源设计找到一颗既能扛住高压，又能保持高效低耗的“心脏”？STB4NK60Z-1正是为此而生。这颗采用SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有600V的漏源电压和4A的连续电流能力，能轻松胜任开关电源、照明驱动等应用中的主功率开关角色。

它的核心价值在于让您的系统运行更高效、更可靠。低至2欧姆的导通电阻能显著减少导通损耗，而优化的栅极电荷（Qg）则有助于降低开关损耗，从而提升整体能效。坚固的I2PAK封装确保了出色的散热，结合高达150°C的结温，让您的设备即使在严苛环境下也能稳定工作，大幅提升产品寿命和市场竞争力。

• 型号:STB4NK60Z-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:510 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STB4NK60Z-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。