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还在为高压开关应用中的效率与可靠性烦恼吗？让STB4N62K3来为您分忧！这颗采用SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，是您实现高效功率控制的得力助手。它能轻松应对高达620V的电压和3.8A的连续电流，并以极低的导通电阻（仅1.95欧姆@10V）工作，显著降低导通损耗，让您的系统运行更高效、发热更少。

这意味着，无论是开关电源、电机驱动还是照明系统，STB4N62K3都能提供快速、干净的开关动作，优化整体能效。其坚固的D2PAK封装和高达150°C的结温工作能力，确保了在苛刻环境下的长期稳定性和耐用性。选择它，就是为您的设计选择了一份经过验证的性能与安心。

• 型号:STB4N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 3.8A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.95 欧姆 @ 1.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB4N62K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。