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STB47N50DM6AG 零件图片(仅供参考)

STB47N50DM6AG
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STB47N50DM6AG 规格参数

您正在寻找一颗能扛起汽车核心功率开关重任的“硬核”芯片吗?STB47N50DM6AG正是您理想的答案。这颗汽车级N沟道500V MOSFET,专为应对严苛的汽车环境而设计,让您轻松实现高效、可靠的电源转换与负载开关控制。

它采用坚固的DPAK表面贴装封装,具备优异的散热能力和功率处理性能。无论是用于车载充电器、DC-DC转换器,还是电机驱动、LED照明系统,它都能提供稳定强劲的开关表现,显著提升整体能效,并确保您的产品满足汽车行业对质量与耐久性的最高要求。

  • 型号:STB47N50DM6AG
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-263(D2PAK)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 500 V
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):500 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):71 毫欧 @ 19A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):57 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2300 pF @ 100 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):250W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:TO-263(D2PAK)
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
  • STB47N50DM6AG,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STB47N50DM6AG 基本参数:

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