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在追求极致能效的今天，您是否渴望一颗能大幅降低系统功耗、提升功率密度的核心器件？STB46N30M5正是为此而生。这颗采用先进MDmesh V技术的N沟道MOSFET，拥有300V的耐压和53A的强大电流处理能力，其超低的40毫欧导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它专为应对挑战而设计。优异的开关性能（低栅极电荷）让您轻松实现更高频率的开关操作，从而缩小磁性元件体积，优化整体设计。其坚固的D2PAK封装和高达150°C的结温工作能力，确保了在汽车、工业等恶劣环境下的长期稳定性和可靠性。选择STB46N30M5，就是选择让您的设计在性能、效率和可靠性上全面领先。

• 型号:STB46N30M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 300V 53A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:300 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):53A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 26.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:95 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4240 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB46N30M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。