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面对高压高功率的设计挑战，您需要一个既能扛住压力又能保持高效的核心开关。STB45N65M5正是为此而生。这颗来自意法半导体MDmesh V系列的N沟道MOSFET，拥有650V的坚固耐压和35A的强大电流吞吐能力，其核心价值在于78毫欧的超低导通电阻，能显著减少功率损耗，直接为您提升系统整体效率，让电能转换过程更“冷静”、更经济。

它不仅仅关注静态参数，更优化了动态性能。91nC的栅极电荷和快速开关特性，让您能够轻松实现更高频率的设计，从而缩小磁性元件体积，降低系统成本与尺寸。同时，其D2PAK封装和强大的散热能力，确保了在高达150°C的结温下依然稳定工作，赋予您的产品卓越的可靠性和环境适应性。选择STB45N65M5，就是为您的电源、电机驱动或新能源应用选择一个高效、可靠且易于驾驭的动力核心。

• 型号:STB45N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 650V 35A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:78 毫欧 @ 19.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:91 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3375 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB45N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。