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您正在寻找一颗能同时驾驭高电压、大电流，还能保持冷静高效的功率开关吗？STB45N50DM2AG正是为此而来。这颗基于意法半导体先进MDmesh DM2技术的N沟道MOSFET，拥有500V的耐压和35A的连续电流能力，其核心魅力在于极低的84毫欧导通电阻和仅57nC的栅极电荷。

这意味着它能为您大幅降低导通与开关损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效，直接提升能效等级并简化散热设计。其汽车级（AEC-Q101）认证的出身，更确保了它在-55°C至150°C的极端温度下依然稳定可靠，让您对产品的长期耐用性充满信心。

无论是升级现有方案还是开启全新设计，选择STB45N50DM2AG，就是选择了一条通往更高性能、更高可靠性的轻松路径，让您的产品在激烈的市场中脱颖而出。

• 型号:STB45N50DM2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 35A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:84 毫欧 @ 17.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB45N50DM2AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。