我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STB40NS15T4现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在设计需要处理高压、大电流的电源或电机驱动方案吗？STB40NS15T4正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有150V耐压和40A的强劲电流处理能力，其核心的MESH OVERLAY技术带来了仅52毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关过程中的导通损耗，让您的系统运行更高效、发热更少。

它不仅仅参数亮眼，更注重实际应用表现。优化的栅极电荷特性让驱动设计更轻松，有助于提升开关频率，实现更高功率密度的设计。同时，坚固的D2PAK封装和高达300W的功率耗散能力，确保了它在严苛环境下的长期可靠性与卓越的散热性能。选择STB40NS15T4，就是为您的产品注入一颗高效、可靠、耐用的“动力核心”。

• 型号:STB40NS15T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 150V 40A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:150 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:52 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:110 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2420 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB40NS15T4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。