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还在为高压开关应用中的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？让STB3NK60ZT4来为您分忧！这颗来自意法半导体SuperMESH家族的N沟道MOSFET，是专为高效功率转换而设计的利器。

它能轻松处理高达600V的电压和2.4A的电流，其核心价值在于极低的导通电阻和栅极电荷，能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。采用坚固的D2PAK封装，散热性能出众，确保在-55°C至150°C的宽温度范围内稳定工作，为您产品的长期可靠性保驾护航。

• 型号:STB3NK60ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 欧姆 @ 1.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:311 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB3NK60ZT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。