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您正在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性和强大驱动能力的功率开关吗？STB37N60DM2AG正是您的理想之选。这颗600V/28A的N沟道MOSFET，凭借其MDmesh DM2先进技术，为您带来低至110毫欧的导通电阻和极低的栅极电荷，能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统效率更高、发热更少。

它能让您轻松应对汽车、工业等高要求应用。其汽车级(AEC-Q101)认证和宽广的工作温度范围，确保了在恶劣环境下依然稳定如初。采用D2PAK封装，散热能力出众，让您的设计更紧凑，性能更强劲。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的核心动力。

• 型号:STB37N60DM2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB37N60DM2AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。