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还在为功率开关的效率瓶颈而烦恼吗？STB35NF10T4正是为您破解难题而来。这颗基于STripFET II技术的N沟道MOSFET，拥有100V耐压和40A的强大电流处理能力，其核心魅力在于仅35毫欧的超低导通电阻。这意味着它能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效，直接提升整体能效和可靠性。

它专为要求严苛的功率应用而设计。无论是构建紧凑高效的DC-DC转换器，还是驱动高功率负载，STB35NF10T4都能让您游刃有余。其优化的动态参数（如低栅极电荷）确保了快速的开关性能，帮助您简化驱动电路设计。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而可靠的“心脏”，轻松应对高功率挑战，赢得性能与稳定性的双重胜利。

• 型号:STB35NF10T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 17.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1550 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:115W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB35NF10T4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。